富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅(qū)動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關(guān)性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件。
特長
實現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關(guān)特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
富士IGBT模塊 P系列IGBT采用GPT工藝制造，比PT （Punch-Through）IGBT有更多的優(yōu)越性，特別適用于變頻器、交流伺服電機系統(tǒng)、UPS、電焊機電源等領(lǐng)域。
特性：
1.額定電流是 TC=80℃時的數(shù)值。
2.VCE（SAT）與溫度成正比，易于并聯(lián)。
3.開關(guān)損耗的溫度系數(shù)比PT-IGBT小，當溫度升高時，其開關(guān)損耗比PT-IGBT小。因此，P系列更適合高頻應(yīng)用。
4.1400V系列模塊適合用于AC380~575V的功率變換設(shè)備。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的**工作區(qū)，RBSOA（反偏**工作區(qū)）和SCSOA（短路**工作區(qū)）都為矩形。其RBSOA可達額定電流的兩倍，SCSOA可達額定電流的十倍。因此，吸收電路可大大簡化，同時，短路承受能力大大提高。
6.低損耗、軟開關(guān)、dv/dt只有普通模塊的1/2，大大降低了EMI噪聲。
富士IGBT模塊 P系列
|
|
型號 |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50P-140 |
1,400 |
75/50 |
400 |
2.7 |
M232 |
|
2MBI75P-140 |
1,400 |
100/75 |
600 |
2.7 |
M232 |
|
2MBI100PC-140 |
1,400 |
150/100 |
780 |
2.7 |
M233 |
|
2MBI150PC-140 |
1,400 |
200/150 |
1,100 |
2.7 |
M233 |
|
2MBI200PB-140 |
1,400 |
300/200 |
1,500 |
2.7 |
M235 |
|
2MBI300P-140 |
1,400 |
500/300 |
2,500 |
2.7 |
M238 |
|
1MBI600PX-140 |
1,400 |
800/600 |
4,100 |
2.85 |
M138 |
|
1MBI600PX-120 |
1,200 |
800/600 |
4,100 |
2.85 |
M138 |
