產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
德國/英飛凌igbt模塊/驅(qū)動/代理商，專業(yè)銷售英飛凌的功率IGBT模塊FZ1200R16KF4的功能、參數(shù)、電路圖、封裝、引腳圖、PDF資料。專業(yè)提供英飛凌(Infineon)IGBT模塊以及相關(guān)配套產(chǎn)品（如瑞士Concept公司大功率IGBT驅(qū)動板，Epcos電容等），為客戶提供器件和技術(shù)支持。
詳情介紹：
FZ1200R16KF4德國英飛凌IGBT模塊（原EUPEC商標(biāo)），是原EUPEC在大功率模塊封裝方面的優(yōu)勢和西門子/英飛凌具有競爭力的IGBT芯片核心技術(shù)有機(jī)結(jié)合的產(chǎn)品，其產(chǎn)品范圍廣，可提供從6A～3600A;電壓從600V、1700V、3300V、6500V;各種封裝形式：Easy、H-橋、EconoPIM、EconoPACK+、大功率IHM&IHV、PrimePACK等各種封裝，全系列IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)。
英飛凌在不同電壓電流級別提供了**的產(chǎn)品組合，包括裸芯片、單管、功率模塊和組件等
我們提供了多種IGBT產(chǎn)品系列。這些IGBT廣泛應(yīng)用于汽車、牽引、工業(yè)和消費(fèi)類領(lǐng)域。在正向和阻斷狀態(tài)下，我們的IGBT功率損耗極低，僅需低驅(qū)動功率便可發(fā)揮高效率。IGBT可承受電壓高達(dá)6.5 kV，工作頻率為2 kHz - 50 kHz。借助廣泛的技術(shù)組合優(yōu)勢，IGBT的設(shè)計具有出色的電流承載能力和更高的脈沖負(fù)載能力，可實現(xiàn)超低功耗。
英飛凌為市場上提供高度可靠的IGBT、功率 MOSFET、氮化鎵增強(qiáng)型 HEMT、功率分立式元件、保護(hù)開關(guān)、硅驅(qū)動器、氮化鎵驅(qū)動器、IGBT 模塊、智能功率模塊（IPM）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED 驅(qū)動器以及各種交流-直流、直流-交流和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換。
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FZ1200R16KF4技術(shù)參數(shù)
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額定功率7.8 kW
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封裝參數(shù)
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安裝方式Screw
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引腳數(shù)7
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封裝IHM-130
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外形尺寸
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封裝IHM-130
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物理參數(shù)
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工作溫度-40℃ ~ 125℃
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其他
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產(chǎn)品生命周期Obsolete
我們提供了多種IGBT產(chǎn)品系列。這些IGBT廣泛應(yīng)用于汽車、牽引、工業(yè)和消費(fèi)類領(lǐng)域。在正向和阻斷狀態(tài)下，我們的IGBT功率損耗極低，僅需低驅(qū)動功率便可發(fā)揮高效率。IGBT可承受電壓高達(dá)6.5 kV，工作頻率為2 kHz - 50 kHz。借助廣泛的技術(shù)組合優(yōu)勢，IGBT的設(shè)計具有出色的電流承載能力和更高的脈沖負(fù)載能力，可實現(xiàn)超低功耗。
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