產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
由于SiC功率器件超越傳統(tǒng)Si制品，具有低損耗和高速運(yùn)行能力，因此作為大電流和高壓應(yīng)用中的節(jié)能關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。我們的SiC-MOSFET模塊是適用于高速開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品，采用獨(dú)自的包裝「Techno Block※1」，可提高長(zhǎng)期可靠性，減少損耗并減小尺寸。
詳情介紹：
三社2合1 SiC MOSFET 模塊特點(diǎn)
- 獨(dú)自的包裝「Techno Block」可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性※2和小型化
- 內(nèi)部結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)并將電感減小到大約1/2（與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比）
- 采用了松下公司獨(dú)特的SiC-MOSFET芯片（DioMOS（二極管內(nèi)置MOSFET）），該芯片具有內(nèi)置的再生二極管功能，可以減少不必要的電感，以實(shí)現(xiàn)理想的開(kāi)關(guān)。
- 對(duì)SiC-MOS的弱點(diǎn)短路破壞，實(shí)現(xiàn)了裝置**設(shè)計(jì)的業(yè)界**的短路耐量
- 芯片擁有在高溫（150°C）下也幾乎不變的導(dǎo)通電阻特性，在實(shí)際使用中可實(shí)現(xiàn)高效率化
- 具有高閾值（閾值電壓4.0V（Typ.））的門(mén)極特性，可以抵抗高頻驅(qū)動(dòng)期間由于噪聲引起的故障
- ※1
-
小型，高散熱封裝，帶有我們獨(dú)特的雙面焊接和一體注塑成型工藝
通過(guò)不使用引線鍵合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期可靠性和小型化。Techno Block是我們的商標(biāo)。 - ※2
- 功率循環(huán)耐量約為本公司傳統(tǒng)產(chǎn)品的3倍。
用途
- 工業(yè)變頻器
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 電動(dòng)車(chē)充電器
- 高輸出諧振電源
*大額定
除非另有說(shuō)明一般 Tj=25℃
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | 單位 | 額定值 | 條件 | |
|---|---|---|---|---|---|
| FCA100AC120 | FCA150AC120 | ||||
| 漏極電壓 | VDSS | V | 1200 | - | |
| 漏極電流 | ID | A | 100 | 150 |
VGS＝20V, Tc＝90℃ |
| 電力流失 | Ptot | W | 625 | 1135 | Tc＝25℃ |
| 工作結(jié)溫 | Tj | ℃ | -40 ～ +150 | - | |
| 絕緣耐壓 | Viso | V | 2500 | AC 60Hz 1min | |
電氣特性
除非另有說(shuō)明一般 Tj=25℃
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | 單位 | 規(guī)格值 | 條件 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| *小 | 標(biāo)準(zhǔn) | *大 | |||||||||
| FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100/150AC120 | |||
| 漏極導(dǎo)通電阻 | RDS(on) | mΩ | - | - | 6.8 | 4.1 | 14 | 9.3 |
ID ＝100A |
ID ＝150A |
VGS＝20V |
| - | - | 7.4 | 4.5 | 15 | 10 |
VGS＝20V, Tj＝150℃ |
|||||
| 漏極熔斷電流 | IDSS | μA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VDS＝1200V, VGS＝0V |
| 門(mén)極閾值電壓 | VGS（th） | V | 3 | 3 | 4 | 4 | 5 | 5 |
ID ＝3mA |
ID ＝4.5mA |
VDS＝10V |
| 門(mén)極漏電流 | IGSS | nA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - |
VGS=20V, VDS=0V |
| 熱阻 | Rth(j-c) | ℃/W | - | - | - | - | 0.2 | 0.11 | - | - |
接合部 - 外殼間 （每個(gè)素子） |
